Производители микросхем планируют переход на 450-миллиметровые подложки
06.05.2008
Компании Intel, Samsung и TSMC пришли к соглашению о необходимости общеотраслевого сотрудничества с целью перехода на кремниевые подложки диаметром 450 миллиметров в начале следующего десятилетия.
В корпорации Intel отмечают, что переход на кремниевые подложки большего диаметра позволит снизить себестоимость производства микросхем, повысить эффективность использования энергии и сократить выбросы вредных газов в атмосферу. Площадь поверхности 450-миллиметровых подложек более чем в два раза превышает аналогичный показатель для применяющихся сейчас подложек с диаметром 300 миллиметров. Соответственно, из одной 450-миллиметровой подложки можно получить вдвое больше конечных изделий.
Традиционно переход на кремниевые подложки большего диаметра происходил один раз в десять лет. Так, например, производители начали применять подложки с диаметром 300 миллиметров в 2001 году - спустя ровно десятилетие после ввода в эксплуатацию первых 200-миллиметровых линий в 1991 году. Поэтому Intel, Samsung и TSMC считают наиболее подходящим временем для начала использования 450-миллиметровых подложек 2012 год. Компании отмечают также, что полупроводниковая промышленность может повысить прибыль на инвестированный капитал и снизить затраты на научные исследования за счет применения согласованных стандартов и точного выполнения графика намеченных работ.
Компания Samsung подчеркивает, что от перехода на кремниевые подложки с диаметром 450 миллиметров выиграет вся отрасль интегральных схем. При этом тесное сотрудничество крупнейших компаний и организаций позволит свести к минимуму затраты, связанные с внедрением новых технологий, и ускорить процесс инноваций.
